Üheseintega süsiniknanotorude ettevalmistamise tehnoloogia
► kaare tühjenemismeetod
ARC tühjendamine on oluline tehnoloogia ühe seinaga süsiniknanotorude sünteesi varajaseks realiseerimiseks. Inertses gaasikeskkonnas hõlmab see meetod grafiidi elektroodi aurustamist kõrgepingekaarega ja sellest tulenevaid süsinikuaurude ladestusi katalüsaatori pinnale, moodustades SWCNT-sid. Sellel meetodil on lihtsuse ja kiirus eelised, kuid kõrge puhtusastmega süsiniknanotorude eraldamise raskus on alati olnud probleem.
►Cheemiline aurude sadestamise meetod
Keemilise aurude sadestumine (CVD) on praegu domineeriv meetod ühe seinaga süsiniknanotorude tööstuslikuks tootmiseks. See kasutab süsinikuallikaid nagu metaan või etüleeni. Kõrgetel temperatuuridel lagundatakse süsinikuallikad katalüsaatori abil ja ladestatakse SWCNT -de sünteesimiseks. Võrreldes kaare tühjenemise meetodiga, on CVD -l kõrge saagikus ja hea toote puhtus, kuid see seisab silmitsi ka katalüsaatori taastumise ja kõrgete kuludega.
► Laseri aurustamise meetod
Laseri aurustumismeetod genereerib ühe seinaga süsiniknanotorusid, pommitades grafiidi sihtmärki, mis sisaldab katalüsaatorit suure energiatarbega laserimpulssidega. See meetod võib valmistada äärmiselt kõrge puhtusega SWCNT -sid, puhtusega 70–90%. Kuid keerukate seadmete ja kõrgete kulude tõttu piirab see suuremahulise tööstusliku kasutamise võimalust.
Madala temperatuuriga tahke faasi pürolüüsi meetod
Süsiniku nanotorude sünteesimise protsess madala temperatuuriga tahkefaasi pürolüüsi abil on stabiilne ja sobib laboratoorse tootmiseks. See meetod ei vaja katalüsaatorit, kuid see vajab kõrge puhtusastmega toorainet ja seda on praegu keeruline saavutada suuremahulist tootmist.
biomeditsiin välja.